功率横向扩散金属氧化物半导体电晶体

摘要

一种横向扩散金属氧化物半导体电晶体装置包括一具有一第一导电率类型之基板以及于该基板上形成之一半导体层。该第一导电率类型之一源极区域与一汲极延伸区域系形成于该半导体层中。一第二导电率类型之一主体区域系形成于该半导体层中。一导电闸极系形成于一闸极介电层上，该闸极介电层系形成于一通道区域上。一汲极接点使该汲极延伸区域电连接至该基板并与该通道区域横向间隔开。该汲极接点包括一高度掺杂汲极接点区域，其形成于该基板与该半导体层中之该汲极延伸区域之间，其中该高度掺杂汲极接点区域之一最顶部分系与该半导体层之上表面间隔开。一源极接点使该源极区域电连接至该主体区域。

主权项

一种横向扩散金属氧化物半导体电晶体装置，其包括：一基板，其具有一第一导电率类型；一半导体层，其形成于该基板之上并具有下与上表面；该第一导电率类型之一源极区域与该第一导电率类型之一轻度掺杂汲极延伸区域，其形成于与该半导体层之该上表面相邻之半导体层中，该等源极与轻度掺杂汲极延伸区域系彼此间隔开；一第二导电率类型之一主体区域，其形成于该半导体层中，该主体区域在该等源极与轻度掺杂汲极延伸区域之间形成一通道区域并在该源极区域下延伸；一导电闸极，其形成于在该通道区域之上形成的一闸极介电层上；一汲极接点，其使该轻度掺杂汲极延伸区域电连接至该基板并与该通道区域横向间隔开，该汲极接点包含一高度掺杂汲极接点区域，其在该半导体层中形成于该基板与该轻度掺杂汲极延伸区域之间，其中藉由该轻度掺杂汲极延伸区域之至少一部分而将该高度掺杂汲极接点区域之一最顶部分与该半导体层之该上表面间隔开；以及一源极接点，其使该源极区域电连接至该主体区域。