发明名称 去耦控制电路及半导体电路
摘要 一种去耦控制电路及半导体电路,去耦控制电路包括:第一电源端和第二电源端;控制信号产生电路,根据第一电源端的第一电源电压与参考电压进行比较,输出第一使能信号和第二使能信号;第一去耦电容和第一通路开关串联于第一电源端和第二电源端之间;第一通路开关受第一使能信号控制;第二电容和第二通路开关串联于第一电源端和第二电源端之间;第二通路开关受第二使能信号控制;第三通路开关位于第一去耦电容和第二去耦电容之间;第三通路开关受第一使能信号和第二使能信号控制。本发明设置至少两个去耦电容和多个通路开关,通过两个去耦电容串联和/或并联,能适用于不同大小电源电压的状况,确保了去耦控制电路的去耦效率和灵敏度。
申请公布号 CN102298957B 申请公布日期 2015.01.21
申请号 CN201010217944.6 申请日期 2010.06.23
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 杨光军
分类号 G11C5/14(2006.01)I 主分类号 G11C5/14(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种去耦控制电路,其特征在于,包括:连接至第一电源电压的第一电源端和连接至第二电源电压的第二电源端;控制信号产生电路,与所述第一电源端连接,用于将所述第一电源端的第一电源电压与参考电压进行比较,并根据所述比较结果确定所输出的第一使能信号和第二使能信号的值,所述第一使能信号与所述第二使能信号互为反相;去耦电路,包括具有第一去耦电容和第一通路开关的第一去耦支路、具有第二去耦电容和第二通路开关的第二去耦支路、以及位于所述第一去耦支路和所述第二去耦支路之间的第三通路开关;所述第一去耦电容和所述第一通路开关串联于所述第一电源端和所述第二电源端之间,所述第一去耦电容的第一电极与所述第一电源端连接,所述第一通路开关受所述第一使能信号控制来实现通断;所述第二去耦电容和所述第二通路开关串联于所述第一电源端和所述第二电源端之间,所述第二去耦电容的第二电极与所述第二电源端连接,所述第二通路开关受所述第二使能信号控制来实现通断;所述第三通路开关与所述第一去耦电容的第二电极和所述第二去耦电容的第一电极连接,所述第三通路开关受所述第一使能信号和所述第二使能信号控制来实现所述第一去耦电容和所述第二去耦电容的通断。
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