| 发明名称 | 多指条形GGNMOS、静电保护电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种多指条形GGNMOS、静电保护电路，所述多指条形GGNMOS包括：P型半导体衬底，包括器件区；形成于器件区内的至少两个NMOS晶体管；位于相邻NMOS晶体管的漏极之间的半导体衬底内的N型连接阱，且所述N型连接阱与其两侧的漏极连接；所述N型连接阱的表面区域内形成有N型连接区。本发明提供的多指条形GGNMOS具有良好的导通均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN102315217B | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201010221840.2 | 申请日期 | 2010.06.29 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 单毅;陈晓杰 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种多指条形GGNMOS，其特征在于，包括：P型半导体衬底，包括器件区；形成于器件区内的至少两个NMOS晶体管；位于相邻NMOS晶体管的漏极之间的半导体衬底内的N型连接阱，且所述N型连接阱与其两侧的漏极连接；所述N型连接阱的表面区域内形成有N型连接区；与器件区相邻的互连区；所述N型连接区与靠近互连区的NMOS晶体管的漏极的距离大于与远离于互连区的NMOS晶体管的漏极的距离。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||