一种具有冗余电路的相变存储器及其实现冗余的方法

摘要

本发明公开了一种具有冗余电路的相变存储器，包括P个冗余行或Q个冗余列、信息存储电路、行或列开关选择电路；每一行或列控制线连接有P+1个行开关或Q+1个列开关；第1个行或列开关串联在所在行或列控制线上；第2到第P+1个行开关或第2到第Q+1个列开关的一端连接到所在行或列控制线，另一端依次连接到下1到P行或Q列控制线上；每一个行或列开关对应一个信息存储电路；行或列开关选择电路与所有信息存储电路相连；所有信息存储电路与写入电路相连；当测试出存储阵列某一行或列有缺陷时，在信息存储电路存储开关导通或关断信息，并控制对应的行开关或列开关，实现用无缺陷行或列快速替换有缺陷行或列。本发明同时公开了该相变存储器实现冗余的方法。

主权项

一种具有冗余电路的相变存储器，包括写入电路、存储阵列及P个冗余行或Q个冗余列，其特征在于：还包括多个信息存储电路、行或列开关选择电路；所述P个冗余行或Q个冗余列连续排列于存储阵列的行或列之后；所述存储阵列的每一行控制线连接有P+1个行开关或每一列控制线连接有Q+1个列开关；其中，第1个行开关或列开关串联在所在行或列控制线上；第2到第P+1个行开关或第2到第Q+1个列开关的一端连接到所在行或列控制线，另一端依次连接到所在行或列的下1到P行或1到Q列控制线上；所述每一个行开关或每一个列开关对应连接一个信息存储电路；所述行或列开关选择电路与所有信息存储电路相连；所述所有信息存储电路与写入电路相连；当测试出存储阵列某一行或列有缺陷时，先通过行或列开关选择电路，针对有缺陷行或列及有缺陷行或列后的所有行或列，选择当前闭合的行开关或列开关对应的信息存储电路，由写入电路在选择的信息存储电路中存储行或列开关关断信息，且所述信息存储电路输出开关控制信号，关断对应的行开关或列开关；再通过行或列开关选择电路，针对有缺陷行或列及有缺陷行或列后的所有行或列，选择一个与无缺陷行或列相连的、相同序号的行开关或列开关对应的信息存储电路，由写入电路在选择的信息存储电路中存储行或列开关导通信息，且所述信息存储电路输出开关控制信号，导通对应的行开关或列开关；其中，所述信息存储电路包括：三个开关、两个相变材料、PMOS管、NMOS管和反相器；所述三个开关中的第一开关的第一端与写入电路相连，第二端与第一相变材料的第一端相连；第一相变材料的第一端还与PMOS管的漏极相连，其第二端与第二相变材料的第一端相连，并连接开关控制信号线；PMOS管的源极与电源相连；第二相变材料的第二端与NMOS管的漏极相连；NMOS管的源极接地；所述三个开关中的第二开关与第一相变材料并联；所述三个开关中的第三开关连接在开关控制信号线与地之间；所述行或列开关选择电路输出的行或列开关选择信号输出到反相器的第一端和NMOS管的栅极，反相器的第二端连接到PMOS管的栅极。