一种提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法。本发明公开了一种提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法，通过在传统的工艺流程中加入氧化气氛，氧化金属/金属化合物层上表面的金属，并于其上生长一层粘接过渡层，从而改善金属/金属化合物层上表面与光刻胶的附着力，以减少光刻胶脱落的风险和工艺缺陷的产生，提高工艺稳定性和器件的良率。

主权项

一种提高光刻胶与金属/金属化合物表面之间粘附力的方法，一半导体器件所包含的MIM结构的上表面设置有金属/金属化合物层，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：在100‑700℃的温度条件下利用含氧气体的等离子体对金属/金属化合物层的上表面进行氧化反应，使金属/金属化合物层的上表面上的金属氧化为金属氧化物；步骤S2：利用硅基有机物气体的等离子体对金属氧化物进行处理，形成覆盖金属/金属化合物层的上表面的粘结过渡层；步骤S3：在粘结过渡层上涂覆粘合促进层后，再旋涂光刻胶或直接在粘结过渡层上旋涂光刻胶。