超级介面电晶体及其制作方法

摘要

一种超级介面电晶体，包含有一汲极基底、一磊晶层，其中磊晶层系设置于汲极基底之上、复数个闸极结构单元，嵌入于磊晶层之表面、复数个沟渠，设置于汲极基底以及闸极结构单元之间的磊晶层中、一缓冲层，直接接触沟渠之内侧表面、复数个紧邻该些沟渠外侧之第一导电型基体掺杂区，其中第一导电型基体掺杂区与磊晶层具有至少一垂直于汲极基底表面之PN接面、以及一源极掺杂区，其中源极掺杂区系设置于磊晶层中，并紧邻于闸极结构单元。

主权项

一种超级介面电晶体，包含有：一汲极基底，具有一第一导电型；一磊晶层，具有一第二导电型，其中该磊晶层系设置于该汲极基底之上；复数个闸极结构单元，嵌入于该磊晶层之表面；复数个沟渠，设置于该汲极基底以及该些闸极结构单元之间的该磊晶层中；一缓冲层(buffer layer)，直接接触该些沟渠之内侧表面；复数个紧邻该些沟渠外侧之第一导电型基体掺杂区，其中该些第一导电型基体掺杂区与该磊晶层间具有至少一垂直于该汲极基底表面之PN接面；以及一源极掺杂区，具有该第一导电型，其中该源极掺杂区系设置于该磊晶层中，并紧邻于各该闸极结构单元。