发明名称 |
偏压产生器以及用于半导体记忆体装置之产生偏压之方法 |
摘要 |
本发明提供一种偏压产生器、一种具有该偏压产生器之半导体记忆体装置及一种用于产生偏压之方法。产生该偏压以控制一供应至一记忆体单元以用于感测资料的感测电流之该偏压产生器之特征在于:该偏压系回应于一正施加之输入电压而输出,使得关于该输入电压之该偏压之一斜率在对应于该输入电压之一位准而划分的至少两个区段中系不同的。 |
申请公布号 |
TWI470632 |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
TW096147439 |
申请日期 |
2007.12.12 |
申请人 |
三星电子股份有限公司 南韩 |
发明人 |
金惠珍;李光振;赵佑荣;朴茂熙 |
分类号 |
G11C13/02;G11C5/14 |
主分类号 |
G11C13/02 |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼 |
主权项 |
一种产生一偏压以控制一供应至一记忆体单元之感测电流之偏压产生器,其包含:一电路,其回应于一所施加之输入电压而提供该偏压,使得关于该输入电压之该偏压之斜率对于该输入电压区别之不同电压位准的至少两个区段而言系不同的,其中该至少两个区段系根据一第一位准而区别,且该偏压在该输入电压之该位准小于该第一位准之一第一区段中的该斜率高于该偏压在该输入电压之该位准大于或等于该第一位准之一第二区段中的该斜率。 |
地址 |
南韩 |