发明名称 磁控溅射电极及具备磁控溅射电极的溅射装置
摘要 在磁控溅射装置中,可均等地侵蚀靶材之外周缘部而提高靶材之利用效率,此外,不易发生异常放电,而可获得良好之薄膜形成。;于与处理基板相对向配置之靶材42之后方,具备磁铁组合体5,该磁铁组合体5具有与靶材侧之极性相反之沿着长度方向配置成线状之磁铁52、及以环绕磁铁之周围之方式配置之周边磁铁53。此时,使于该磁铁组合体之长度方向端部中在磁铁及周边磁铁之间所发生之隧道状之各磁通当中磁场之垂直成分为0之位置,局部地以一定之范围移位至磁铁侧。
申请公布号 TWI470102 申请公布日期 2015.01.21
申请号 TW096142861 申请日期 2007.11.13
申请人 爱发科股份有限公司 日本 发明人 赤松泰彦;矶部辰德;新井真;清田淳也;小松孝
分类号 C23C14/35 主分类号 C23C14/35
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种磁控溅射电极,其特征系具备:与处理基板对向配置的靶材,及配置在与处理基板背向的靶材的后方之磁铁组合体,前述磁铁组合体系由:配置成线状的中央磁铁,及以环绕该中央磁铁的周围之方式,改变靶材侧的极性而配置的周边磁铁所构成,将中央磁铁所线状延伸的方向设为长度方向,中央磁铁及周边磁铁系具有在各个的长度方向的两侧平行延伸的直线部,使在中央磁铁与周边磁铁的直线部之间隧道状地产生的磁通的磁场的垂直成分成为0的位置在磁铁组合体的长度方向端部以一定的范围位移至比磁铁组合体的中央部更靠中央磁铁侧,构成防止电子往靶材端侧飞出,使前述磁场之垂直成分为0之位置移位的范围,系位于中央磁铁之一侧且交错存在于该中央磁铁之两端部。
地址 日本