| 发明名称 | TFT-LCD像素电极层结构、制备方法及其掩膜板 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种TFT-LCD像素电极层结构、制备方法及其掩膜板，涉及液晶显示器领域，能够减少由于显影液浓度差异造成的斜纹状mura。TFT-LCD像素电极层结构包括：对应于液晶面板的显示区域的像素电极图形，以及对应于液晶面板的非显示区域的周边区域图形，还包括，周边填充图形，所述周边填充图形分布在对应于非显示区域中未设置周边区域图形的区域。本发明应用于液晶显示器的制备。 | ||
| 申请公布号 | CN102169260B | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201110095453.3 | 申请日期 | 2011.04.15 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 惠官宝 |
| 分类号 | G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;G03F1/38(2012.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | G02F1/1343(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种TFT‑LCD像素电极层结构，包括：对应于液晶面板的显示区域的像素电极图形，以及对应于液晶面板的非显示区域的周边区域图形，其特征在于，还包括，周边填充图形，所述周边填充图形分布在对应于非显示区域中未设置周边区域图形的区域，所述周边填充图形与所述像素电极图形的边界之间设置有空白间隔，所述空白间隔的距离为2mm～5mm，所述像素电极层用来形成多维空间复合电场。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||