电子设备用石墨导热片的制备工艺

摘要

本发明公开一种电子设备用石墨导热片的制备工艺，包括以下步骤：将聚酰胺酸溶液中加入乙二醇，充分搅拌后涂覆于一玻璃基材层上；放置于真空环境的烘箱中，100℃恒温0.9~1.1小时，然后升温到300℃，恒温0.9小时后自然冷却，从而获得聚酰亚胺薄膜；将聚酰亚胺薄膜在惰性气体保护下，从室温升温至250℃，保持0.9~1.1小时，然后升温至500℃，保持1小时；然后升至800℃，保持0.9~1.1小时；再升温至1200℃，保存0.9~1.1小时后冷却，从而获得预烧制的碳化膜；采用压延机压延所述步骤四的预烧制的碳化膜。本发明在垂直方向和水平方向均提高了导热性能，避免了局部过热，导热速度快，形成双向拉伸、高模量的石墨层。

主权项

一种电子设备用石墨导热片的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、将聚酰胺酸溶液中加入乙二醇，充分搅拌后涂覆于一玻璃基材层上；步骤二、在氮气保护下，80℃恒温0.9~1.1小时；步骤三、放置于真空环境的烘箱中，100℃恒温0.9~1.1小时，然后升温到300℃，恒温0.9小时后自然冷却，从而获得聚酰亚胺薄膜；步骤四、 将聚酰亚胺薄膜在惰性气体保护下，从室温升温至250℃，保持0.9~1.1小时，然后升温至500℃，保持1小时；然后升至800℃，保持0.9~1.1小时；再升温至1200℃，保存0.9~1.1小时后冷却，从而获得预烧制的碳化膜；步骤五、采用压延机压延所述步骤四的预烧制的碳化膜；步骤六、以19~21度/min的速度升至2400℃，保持0.9~1.1小时，再升温至2900℃，保持1.8~2.2小时后冷却，从而获得主烧制的石墨膜；步骤七、然后步骤六所得的主烧制的石墨膜进行压延从而获得所述石墨散热片。