发明名称 |
一种显示装置、阵列基板及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示装置、阵列基板及其制作方法。该阵列基板包括基板和多个像素单元,像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层、栅极绝缘层和栅电极,源电极和漏电极在基板上相对设置并形成薄膜晶体管的沟道;有源层位于源/漏电极以及沟道的上方;栅极绝缘层和栅电极依次设置在有源层的上方;像素电极位于像素单元中薄膜晶体管之外的区域并延伸至漏电极的上方与漏电极搭接。本发明提供的阵列基板,有源层位于源/漏电极的上方,可有效避免在形成源/漏电极过程中对有源层造成破坏。并且,当有源层为金属氧化物时,可省去阻挡层,进而简化工艺流程,提高生产效率,降低生产成本。 |
申请公布号 |
CN102629611B |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201210088834.3 |
申请日期 |
2012.03.29 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
童晓阳;曹占锋 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
韩国胜;王莹 |
主权项 |
一种阵列基板,包括基板和位于所述基板上的多个像素单元,每个像素单元包括薄膜晶体管和像素电极,其特征在于,所述薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层、栅极绝缘层和栅电极,其中,所述源电极和漏电极在所述基板上相对设置并形成薄膜晶体管的沟道;所述有源层位于所述源电极、漏电极以及沟道的上方;所述栅极绝缘层和栅电极依次设置在所述有源层的上方;所述像素电极位于像素单元中薄膜晶体管之外的区域并延伸至所述漏电极的上方与所述漏电极搭接;其中,所述像素电极仅与所述漏电极靠近像素电极区域的一部分搭接,所述有源层在漏电极上方的区域一部分直接与漏电极搭接、另一部分通过像素电极与漏电极连接。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |