发明名称 |
掺杂超晶格结构的太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明提供一种掺杂超晶格结构的太阳能电池,包括第一GaAs层和有源区,所述有源区置于第一GaAs层的裸露表面上,所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构,所述第二GaNAs/InGaAs超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs超晶格结构表面,所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同,且第一GaNAs/InGaAs超晶格结构中InGaAs层和GaNAs层均掺杂同种导电类型的杂质。本发明还提供一种上述掺杂超晶格结构的太阳能电池的制备方法,在第一GaAs层的裸露表面上依次生长第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构以形成有源区,所述第一、第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中的InGaAs层厚度不同,且第二GaNAs/InGaAs超晶格结构中InGaAs层和GaNAs层均掺杂同种导电类型的杂质。 |
申请公布号 |
CN102738266B |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201210203837.7 |
申请日期 |
2012.06.20 |
申请人 |
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
发明人 |
郑新和;李雪飞;张东炎;吴渊渊;陆书龙;杨辉 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/077(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 |
代理人 |
孙佳胤;翟羽 |
主权项 |
一种掺杂超晶格结构的太阳能电池,其特征在于,包括第一GaAs 层和有源区,所述有源区置于第一GaAs 层的裸露表面上,所述有源区包括第一、第二GaNAs/InGaAs 超晶格结构,所述第二GaNAs/InGaAs 超晶格结构设置于第一GaNAs/InGaAs 超晶格结构表面,所述第一、第二GaNAs/InGaAs 超晶格结构中的InGaAs 层厚度不同,且第一GaNAs/InGaAs 超晶格结构中InGaAs 层和GaNAs 层均掺杂同种导电类型的杂质, 所述第一GaNAs/InGaAs 超晶格结构、第二GaNAs/InGaAs 超晶格结构均为短周期超晶格结构。 |
地址 |
215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 |