发明名称 一种高升压电路、太阳能逆变器与太阳能电池系统
摘要 本发明公开了一种高升压电路、太阳能逆变器与太阳能电池系统,其中,该高升压电路包括直流输入电压<img file="dest_path_image002.GIF" wi="22" he="25" />,与所述直流输入电压<img file="283520dest_path_image002.GIF" wi="22" he="25" />连接、且用于输出直流输出电压<img file="dest_path_image004.GIF" wi="20" he="25" />的变换器单元,以及配合连接在所述变换器单元的原边与副边之间的变压器单元;所述变压器单元,用于将所述变换器单元的原边与副边进行隔离;和/或,用于基于所述变换器单元原边的输入电压,对该变换器单元副边的输出电压进行升压处理。本发明所述高升压电路、太阳能逆变器与太阳能电池系统,可以克服现有技术中成本高、额外损耗大、能量转换效率低与环保性差等缺陷,以实现成本低、额外损耗小、能量转换效率高与环保性好的优点。
申请公布号 CN102638164B 申请公布日期 2015.01.21
申请号 CN201210135127.5 申请日期 2012.05.03
申请人 无锡联动太阳能科技有限公司 发明人 郑崇峰;邱齐;梁志刚
分类号 H02M3/24(2006.01)I;H02M3/335(2006.01)I;H02M1/14(2006.01)I;H02M5/10(2006.01)I 主分类号 H02M3/24(2006.01)I
代理机构 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 代理人 宋敏
主权项 一种高升压电路,其特征在于,包括直流输入电压V<sub>in</sub>,与所述直流输入电压V<sub>in</sub>连接、且用于输出直流V<sub>o</sub>的变换器单元,以及配合连接在所述变换器单元的原边与副边之间的变压器单元;所述变压器单元,用于将所述变换器单元的原边与副边进行隔离;和/或,用于基于所述变换器单元原边的输入电压,对该变换器单元副边的输出电压进行升压处理;所述变换器单元包括第1至第n变换器,所述变压器单元包括分别配合连接在所述第1至第n变换器中相应变换器的原边与副边之间的第1至第n变压器;所述第1至第n变压器,分别用于将所述第1至第n变换器中相应变换器的原边与副边进行隔离,和/或,用于实现升压;在所述第1至第n变换器的原边,所述第1至第n变换器远离相应变压器的输入一侧并联,所述第1至第n变换器靠近相应变压器的一侧分别与相应变压器的原边线圈连接;在所述第1至第n变换器的副边,所述第1至第n变换器远离相应变压器的输出一侧串联,所述第1至第n变换器靠近相应变压器的一侧分别与相应变压器的副边线圈连接;n为自然数;当n=2时,所述第1至第n变换器包括第1有源箝位反激变换器与第2有源箝位反激变换器,所述第1至第n变压器包括第1变压器T1与第2变压器T2;所述第1有源箝位反激变换器,包括第1功率半导体开关Q<sub>11</sub>、第1箝位开关Q<sub>21</sub>、第1变压器原边励磁电感或者额外并联的电感L<sub>m1</sub>、第1变压器漏感或额外添加的电感L<sub>r1</sub>、第1箝位电容C<sub>CL1</sub>、第1输出二极管D<sub>11</sub>、第1输出电容C<sub>11</sub>、以及第1功率半导体开关Q<sub>11</sub>与第1箝位开关Q<sub>21</sub>的体二极管或额外的并联二极管D<sub>Q11</sub>与D<sub>Q21</sub>;所述第2有源箝位反激变换器,包括第2功率半导体开关Q<sub>12</sub>、第2箝位开关Q<sub>22</sub>、第2变压器原边励磁电感或者额外并联的电感L<sub>m2</sub>、第2变压器漏感或额外添加的电感L<sub>r2</sub>、第2箝位电容C<sub>CL2</sub>、第2输出二极管D<sub>12</sub>、第2输出电容C<sub>12</sub>、以及第2功率半导体开关Q<sub>12</sub>与第2箝位开关Q<sub>22</sub>的体二极管或额外的并联二极管D<sub>Q12</sub>与D<sub>Q22</sub>;其中:所述直流输入电压V<sub>in</sub>的第1连接端,经第1箝位电容C<sub>CL1</sub>后,与第1箝位开关Q<sub>21</sub>的漏极、以及第1箝位开关Q<sub>21</sub>的体二极管或额外的并联二极管D<sub>Q21</sub>的阴极连接;依次经第1变压器漏感或额外添加的电感L<sub>r1</sub>及第1变压器原边励磁电感或者额外并联的电感L<sub>m1</sub>后,与第1箝位开关Q<sub>21</sub>的源极、第1箝位开关Q<sub>21</sub>的体二极管或额外的并联二极管D<sub>Q21</sub>的阳极、第1功率半导体开关Q<sub>11</sub>的漏极、以及第1功率半导体开关Q<sub>11</sub>的体二极管或额外的并联二极管D<sub>Q11</sub>的阴极连接;经第2箝位电容C<sub>CL2</sub>后,与第2箝位开关Q<sub>22</sub>的漏极、以及第2箝位开关Q<sub>22</sub>的体二极管或额外的并联二极管D<sub>Q22</sub>的阴极连接;以及,依次经第2变压器漏感或额外添加的电感L<sub>r2</sub>及第2变压器原边励磁电感或者额外并联的电感L<sub>m2</sub>后,与第2箝位开关Q<sub>22</sub>的源极、第2箝位开关Q<sub>22</sub>的体二极管或额外的并联二极管D<sub>Q22</sub>的阳极、第2功率半导体开关Q<sub>12</sub>的漏极、以及第2功率半导体开关Q<sub>12</sub>的体二极管或额外的并联二极管D<sub>Q12</sub>的阴极连接;所述直流输入电压V<sub>in</sub>的第2连接端,与第1功率半导体开关Q<sub>11</sub>的源极、第1功率半导体开关Q<sub>11</sub>的体二极管或额外的并联二极管D<sub>Q11</sub>的阳极、第2功率半导体开关Q<sub>12</sub>的源极、以及第2功率半导体开关Q<sub>12</sub>的体二极管或额外的并联二极管D<sub>Q12</sub>的阳极连接;所述第1功率半导体开关Q<sub>11</sub>的栅极、以及第2功率半导体开关Q<sub>12</sub>的栅极,用于输入占空比为D的脉冲信号;第1箝位开关Q<sub>21</sub>的栅极、以及第2箝位开关Q<sub>22</sub>的栅极,用于输入占空比为1‑D的脉冲信号;所述第1变压器T1的原边线圈,并联在第1变压器原边励磁电感或者额外并联的电感L<sub>m1</sub>的两端;第1变压器T1副边线圈的第1连接端,与第1输出二极管D<sub>11</sub>的阳极连接;第1输出二极管D<sub>11</sub>的阴极,经第1输出电容C<sub>11</sub>后与第1变压器T1副边线圈的第2连接端、以及及第2输出二极管D<sub>12</sub>的阴极连接;所述第2变压器T2的原边线圈,并联在第2变压器原边励磁电感或者额外并联的电感L<sub>m2</sub>的两端;第2变压器T2副边线圈的第1连接端,与第2输出二极管D<sub>12</sub>的阳极连接;第2输出二极管D<sub>12</sub>的阴极,经第2输出电容C<sub>12</sub>后与第2变压器T2副边线圈的第2连接端连接;所述第1输出二极管D<sub>11</sub>与第1输出电容C<sub>11</sub>的公共端为直流输出电压V<sub>o</sub>的第1端子,第2输出二极管D<sub>12</sub>与第2输出电容C<sub>12</sub>的公共端为直流输出电压V<sub>o</sub>的第2端子;所述第1功率半导体开关Q<sub>11</sub>、第2功率半导体开关Q<sub>12</sub>、第1箝位开关Q<sub>21</sub>、以及第2箝位开关Q<sub>22</sub>,至少包括金属氧化物场效应晶体管MOSFET与绝缘栅极双极型晶体管IGBT中的至少一种。
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