发明名称 低成本、高集成度之背照式图像传感器封装
摘要 本发明披露了背照式图像传感器及其制作方法,其在制作过程中不需要涉及机械研磨过程或化学机械平面化过程。在一个实施例中,图像传感器包括一半导体衬底、在半导体衬底内的多个光感应元件、和一形成在半导体衬底内的空腔。光感应元件以平面方式排列。空腔有一基面在光感应元件之上。空腔的出现允许图像经过空腔基面而到达光感应元件。空腔可以通过蚀刻半导体衬底而制作。当进行蚀刻时,还可以使用搅动。
申请公布号 CN102751299B 申请公布日期 2015.01.21
申请号 CN201210169718.4 申请日期 2012.05.28
申请人 香港应用科技研究院有限公司 发明人 杨丹;徐逸杰;丘树坚;罗珮璁
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人 江耀纯
主权项 一种背照式图像传感器,包括:半导体衬底,其有第一衬底表面和第二衬底表面,所述第一衬底表面位于所述第二衬底表面的反面;一个或多个光感应元件,其位于所述半导体衬底内,所述光感应元件被安排用于接收来自所述半导体衬底外面的图像光;形成在半导体衬底内的空腔,所述空腔有一基面在所述光感应元件上,所述空腔从所述第一衬底表面延伸到所述基面;其中所述第一衬底表面是所述图像传感器的背侧面;其中所述图像光被允许穿过所述基面而到达所述光感应元件,所述图像光穿过所述基面到达所述光感应元件的所行进的距离比没有所述空腔的情况要短;一个或多个通孔,其从所述空腔基面延伸到所述第二衬底表面;第一电路径,其位于所述第二衬底表面和所述第一衬底表面之间,其穿过所述通孔,所述第一电路径的至少一部分形成在所述空腔的侧壁上。
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