发明名称 | 铜互连线的刻蚀后处理方法 | ||
摘要 | 一种铜互连线的刻蚀后处理方法,所述铜互连线用于连通上下互连层,所述下互连层包括第一介质层、位于第一介质层内的第一互连线沟槽、填充在第一互连线沟槽内的铜材质、沉积在第一互连线沟槽上表面及水平互连的第一介质层上的顶部阻挡层,所述上互连层包括形成于顶部阻挡层上的第二介质层、位于第二介质层内的第二互连线沟槽、位于第二互连线沟槽底部的通道,所述通道暴露出所述铜材质,所述后处理方法包括:使用等离子气体处理暴露出来的铜,所述等离子气体为NH<sub>3</sub>。采用本发明的铜互连线的刻蚀后处理方法可以抑制铜互连线金属层中铜离子的流失改善与时间相关介质击穿,并能同时减少第二介质层外表面由于刻蚀引起的缺陷。 | ||
申请公布号 | CN102760685B | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
申请号 | CN201110107556.7 | 申请日期 | 2011.04.27 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王冬江;周俊卿;张海洋 |
分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
主权项 | 一种铜互连线的刻蚀后处理方法,所述铜互连线用于连通上下互连层,其特征在于,所述下互连层包括第一介质层、位于第一介质层内的第一互连线沟槽、填充在第一互连线沟槽内的铜材质、沉积在第一互连线沟槽上表面及水平互连的第一介质层上的顶部阻挡层,所述上互连层包括形成于顶部阻挡层上的第二介质层、位于第二介质层内的第二互连线沟槽、位于第二互连线沟槽底部的通道,所述通道暴露出所述铜材质,所述后处理方法仅使用NH<sub>3</sub>等离子气体处理暴露出来的铜,以在暴露出来的铜表面形成CuN层;其中,所述NH<sub>3</sub>处理过程使用的压强范围包括:100‑300mTorr,功率范围包括:150‑300W,流量范围包括:50‑200sccm,处理时间范围包括:10‑60s。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |