| 发明名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有石墨烯层或碳纳米管层；在所述石墨烯层或碳纳米管层上形成栅极结构后，暴露部分所述石墨烯层或碳纳米管层，所述栅极结构包括栅堆叠、侧墙和帽层，所述帽层位于所述栅堆叠上，所述侧墙环绕所述栅堆叠和所述帽层；在暴露的所述石墨烯层或碳纳米管层上外延生长半导体层；在所述半导体层上形成金属接触层。通过在石墨烯层或碳纳米管层上形成半导体层，继而在所述半导体层上形成金属接触层，以替代直接利用石墨烯层或碳纳米管层材料形成金属接触层，利于形成自对准的源漏接触塞。 | ||
| 申请公布号 | CN102683209B | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201110066371.6 | 申请日期 | 2011.03.18 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人 | 郑瑜生 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有石墨烯层或碳纳米管层；在所述石墨烯层或碳纳米管层上形成栅极结构后，暴露部分所述石墨烯层或碳纳米管层，所述栅极结构包括栅堆叠、侧墙和帽层，所述帽层位于所述栅堆叠上，所述侧墙环绕所述栅堆叠和所述帽层；在暴露的所述石墨烯层或碳纳米管层上外延生长半导体层；在所述半导体层上形成金属接触层。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||