一种半导体装备用抗高温蠕变接地基片的制备方法

摘要

本发明涉及一种在金属或合金基片上制备纯铝涂层的方法，特别是涉及一种半导体装备用抗高温蠕变接地基片的制备方法。该制备方法包括如下步骤：(1)接地基片基体的前处理；(2)将基体放置于专用夹具上；(3)冷喷涂纯铝；(4)喷涂后热处理；(5)涂层表面后续处理。本发明的制备方法能够在各种金属或合金基片上形成纯铝涂层，使产品既在基体上保持基片的性能，如抗高温蠕变性能，同时在表面又有纯铝涂层的各种性能。

主权项

一种半导体装备用抗高温蠕变接地基片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)接地基片基体的前处理：将所述接地基片的基体表面先进行纹理处理，纹理处理工艺参数为：320#砂纸抛光，去除基体表面积碳层；再用无水乙醇进行清洗；(2)冷喷涂系统包括喷涂设备、喷涂室和专用夹具，所述专用夹具设置在所述喷涂室内，将所述基体放置于专用夹具上；(3)喷涂：采用冷喷涂工艺制备纯铝涂层，利用所述冷喷涂系统，使压缩气体携带铝粉以超音速喷涂于所述基体表面，形成纯铝涂层，制得接地基片；喷涂工艺参数如下：喷涂距离5～50mm、气体压力0.5～4.5MPa、气体温度150～500℃、气体流量5～50g/s、铝粉纯度90％以上，铝粉粉末粒度200～600目；(4)喷涂后热处理工艺：将所述接地基片置于热处理炉中随炉升温至100～500℃，在该温度下保温1～5小时；(5)涂层表面后续处理：用菜瓜布和酒精对接地基片进行湿抛光，使接地基片表面无色差。