半导体存储器

摘要

本发明涉及半导体存储器。半导体存储器包括：存储器单元阵列，其具有多个存储器单元；多个位线对，与存储器单元阵列的各列相对应地放置；读出放大器，与多个位线对相对应地放置成多个，用于放大在位线对之间的电势差，其中，读出放大器具有：预充电晶体管，其每一个具有扩散层并且对位线对进行预充电；以及开关晶体管，其每一个具有与预充电晶体管的扩散层一体形成的扩散层，用于将多个位线对选择性地连接到公共总线。

主权项

一种半导体存储器，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列具有多个存储器单元；多个位线对，所述多个位线对与所述存储器单元阵列的各列相对应地放置；以及读出放大器，所述读出放大器与所述多个位线对相对应地放置成多个，用于放大在所述位线对之间的电势差，其中，所述读出放大器包括：预充电晶体管，每个所述预充电晶体管具有扩散层并且对所述位线对进行预充电；以及开关晶体管，每个所述开关晶体管具有与所述预充电晶体管的所述扩散层一体形成的扩散层，用于将所述多个位线对选择性地连接到公共总线。