发明名称 一种MEMS麦克风中的振膜结构
摘要 本实用新型提供了一种MEMS麦克风中的振膜结构,首先在硅基板氧化层的振膜区沉积一层用于形成第二振膜的第二薄膜;在该第二薄膜上设置掩膜,将除了第二振膜的区域全部刻蚀掉;在氧化层的振膜区沉积一层用于形成第一振膜的第一薄膜;在该第一薄膜上设置掩膜,将除了第一振膜的区域全部刻蚀掉,构成了具有第二振膜补强的第一振膜。本实用新型的振膜结构,包括了第一振膜以及对第一振膜中特定局部位置进行补强的第二振膜,也就是说,使得至少连接部的位置是多层膜设计,增大了该位置的膜厚,从而提高了第一振膜中连接部位的机械强度,避免了撕裂问题的发生。
申请公布号 CN204119483U 申请公布日期 2015.01.21
申请号 CN201420575885.3 申请日期 2014.09.30
申请人 歌尔声学股份有限公司 发明人 蔡孟锦
分类号 H04R7/00(2006.01)I;H04R19/04(2006.01)I 主分类号 H04R7/00(2006.01)I
代理机构 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 代理人 马佑平;王昭智
主权项 一种MEMS麦克风中的振膜结构,其特征在于:包括第一振膜,所述第一振膜包括振膜主体,以及设置在振膜主体边缘且与振膜主体一体成型的连接部,还包括与振膜主体连接的引线电极,至少在连接部的表面上沉积一层第二振膜。
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