记忆体之改善方法及其构造

摘要

一种记忆体构造包含一基板、一下导电层、一电阻层及一上导电层。该下导电层设置于该基板上，该电阻层设置于该下导电层上，该上导电层设置于该电阻层上。一种记忆体于电阻切换前改善方法利用一局部电场产生于该记忆体内，以改善切换特性。

主权项

一种记忆体之改善方法，其包含：制备一记忆体元件，且该记忆体元件包含一上导电层、一电阻层及一下导电层；于该记忆体元件之内产生一局部电场；于该记忆体元件进行初始化动作；于该记忆体元件形成数个电流传导路径；及于该记忆体元件执行记忆功能。