发明名称 低电压能隙参考电路
摘要 本发明系有关于一种低电压能隙参考电路,系用以在低电压下操作,包括正温度系数电路单元、负温度系数电路单元以及负载单元,分别提供具有正温度系数特性之电流以及负温度系数特性之电流以流过负载单元,藉以在负载单元上产生较不受温度影响的稳定参考电压,其中正温度系数电路单元包括第一差讯运算放大器、第一、第二及第三电晶体、第一电阻、第一及第二二极体,而负温度系数电路单元包括第二差讯运算放大器、第四、第五及第六电晶体、第二电阻以及第三二极体,本发明具有可低于输入电源的单一稳定操作点,因此,能避免无法低压启动的问题。
申请公布号 TWI470399 申请公布日期 2015.01.21
申请号 TW101148711 申请日期 2012.12.20
申请人 矽成积体电路股份有限公司 新竹市东区新竹科学工业园区科技五路2号 发明人 张竟宏;郭圳龙;吴清堂;吴忠政;郑仲皓
分类号 G05F3/30 主分类号 G05F3/30
代理机构 代理人 洪尧顺 台北市内湖区行爱路176号3楼
主权项 一种低电压能隙参考电路,系具有单一稳定操作点,并用以提供一参考电压,该低电压能隙参考电路包括:一正温度系数电路单元,用以提供具有正温度系数特性之一正温度系数电流,系包括一第一差讯运算放大器、一第一电晶体、一第二电晶体、一第三电晶体、一第一电阻、一第一二极体以及一第二二极体,其中该第一电晶体、该第二电晶体及该第三电晶体的源极连接该输入电源,该第一电晶体、该第二电晶体及该第三电晶体的闸极并联连接至该第一差讯运算放大器的输出端,该第一电晶体的汲极连接该第一二极体的正端,该第二电晶体的汲极连接该第一电阻的一端,该第一电阻的一另一端连接该第二二极体的正端,而该第一二极体以及该第二二极体的负端为接地,且该第一电晶体的汲极进一步连接该第一差讯运算放大器的反相输入端,而该第二电晶体的汲极进一步连接该第一差讯运算放大器的非反相输入端;一负温度系数电路单元,用以提供具有负温度系数特性之一负温度系数电流,系包括一第二差讯运算放大器、一第四电晶体、一第五电晶体、一第六电晶体、一第二电阻以及一第三二极体,其中该第四电晶体、该第五电晶体及该第六电晶体的源极连接该输入电源,该第四电晶体、该第五电晶体及该第六电晶体的闸极并联连接至该第二差讯运算放大器的输出端,该第四电晶体的汲极连接该第三二极体的正端,该第三二极体的负端为接地,该第五电晶体的汲极连接该第二电阻的一端,该第二电阻的一另一端为接地,且该第四电晶体的汲极进一步连接该第二差讯运算放大器的反相输入端,而该第五电晶体的汲极进一步连接该第二差讯运算放大器的非反相输入端;以及一负载单元,其中该负载单元的一端连接该第三电晶体的汲极及该第六电晶体的汲极,且该负载单元的一另一端为接地,且该负载单元之端电压为该参考电压。
地址 新竹市东区新竹科学工业园区科技五路2号