成膜装置、基板处理装置、成膜方法及记忆媒体（二）

摘要

本发明系关于一种成膜装置、基板处理装置、成膜方法及记忆媒体，其中该成膜装置系藉由在真空容器内将至少2种会互相反应的反应气体依序供给至基板表面并实施该供给循环，以层积多层反应生成物而形成薄膜。该成膜装置系具有回转台、基板载置部、第1反应气体供给部及第2反应气体供给部、分离区域、中心部区域、排气口、顶面及基板冷却部。

主权项

一种成膜装置，系藉由在真空容器内将至少2种会互相反应的反应气体依序供给至基板表面并实施该供给循环，以层积多层反应生成物而形成薄膜，其特征在于该成膜装置系具有：回转台，系设置于该真空容器内；基板载置部，系用以将基板载置于该回转台；第1反应气体供给部及第2反应气体供给部，系相隔有距离地设置于该回转台的回转方向，并分别将第1反应气体及第2反应气体供给至该回转台之该基板载置部侧的一面；分离区域，系为了分离供给有该第1反应气体之第1处理区域与供给有第2反应气体之第2处理区域的气氛，而位于该回转方向的该等处理区域之间；中心部区域，系为了分离该第1处理区域与该第2处理区域的气氛而位于真空容器内之中心部，并形成有将分离气体喷出至回转台的基板载置面侧之喷出孔；排气口，系用以将扩散至该分离区域两侧的分离气体及从该中心部区域所喷出之分离气体连同该反应气体一起排气；顶面，系于该分离区域处，于用以供给分离气体之分离气体供给部与回转台之间，形成位于该分离气体供给部的该回转方向两侧并使分离气体从该分离区域流至处理区域侧之狭窄空间；以及基板冷却部，系于该真空容器内对基板喷射用以冷却该基板之氮气或惰性气体。