电子器件

摘要

本实用新型提供一种电子器件。本实用新型应用于包括二极管的电子器件内。本实用新型是要解决现有技术中所存在的一个或者多个问题。电子器件包括具有第一导电类型的第一掺杂物的衬底；衬底之上的第一半导体层，并且第一半导体层包括第一导电类型的第二掺杂物；第一半导体层之上的第二半导体层；以及第一半导体层和第二半导体层界面处的并且延伸到第一半导体层和第二半导体层内的第一掺杂区域。本实用新型的一个方面的技术效果是击穿电压的变化减小的瞬时电压抑制设计。

主权项

一种电子器件，其特征在于，所述电子器件包括:具有第一导电类型的第一掺杂物的衬底；所述衬底之上的第一半导体层，并且所述第一半导体层包括所述第一导电类型的第二掺杂物；所述第一半导体层之上的第二半导体层；和所述第一半导体层和第二半导体层界面处的并且延伸到所述第一半导体层和第二半导体层内的第一掺杂区域，其中所述第一掺杂区域具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的第三掺杂物，其中:所述第一掺杂物的第一掺杂物浓度分布在临近所述衬底处具有第一相对陡峭的部分，在与所述第一半导体层和第二半导体层之间的界面相邻处具有第二相对陡峭的部分，以及在所述第一相对陡峭的部分和第二相对陡峭的部分之间具有相对平坦的部分；和在所述第一掺杂区域的第二掺杂剂浓度分布与所述第一掺杂剂浓度分布的所述相对平坦的部分相交的pn结处形成有第一二极管。