| 发明名称 | 具有结终端扩展的半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种半导体器件(200)，包括：含碳化硅的衬底(202)；布置在衬底(202)上的漂移层(214)，漂移层含掺第一(n型)掺杂剂类型的漂移区(214)，以具有第一导电类型；与漂移区相邻并接近漂移层的表面(204)的第二区(216)。第二区掺第二(p型)掺杂剂类型，以具有第二导电类型。半导体器件还包括与第二(阱)区相邻布置的结终端扩展(JTE)(220)。JTE具有宽度W<sub>jte</sub>且包括在第一、第二方向上被隔离且掺杂有变化浓度的第二(p型)掺杂剂类型的多个离散区(221)，以具有总体沿着远离主阻断结(230)边缘的方向减小的函数形式的第二导电类型的有效掺杂分布。宽度W<sub>jte</sub>小于或等于一维耗尽宽度(W<sub>depl</sub> 1D)五倍的倍数，以及半导体器件的电荷容差大于1.0x10<sup>13</sup>/cm<sup>2</sup>。 | ||
| 申请公布号 | CN104303314A | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201380025695.2 | 申请日期 | 2013.05.15 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | S.D.阿瑟;A.V.博洛特尼科夫;P.A.罗西;K.S.马托查;R.J.赛亚;Z.M.斯塔姆;L.D.斯特瓦诺维奇;K.V.S.R.基肖尔;J.W.克雷奇默 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 叶晓勇;刘春元 |
| 主权项 | 一种半导体器件(200)，包括：包括碳化硅的衬底(202)；布置在所述衬底(202)上的漂移层(214)，所述漂移层包括掺杂有第一(n型)掺杂剂类型的漂移区(214)，以具有第一导电类型；与所述漂移区(214)相邻以及接近所述漂移层(214)的表面(204)的第二区(216)，其中所述第二区(216)掺杂有第二(p型)掺杂剂类型，以具有第二导电类型；以及与所述第二(阱)区(216)相邻布置的结终端扩展(220)，其中所述结终端扩展(220)具有宽度w<sub>jte</sub>且包括在第一方向和第二方向上被隔离且掺杂有变化浓度的第二(p型)掺杂剂类型的多个离散区(221)，以具有总体上沿着远离主阻断结(230)的边缘的方向减小的函数形式的第二导电类型的有效掺杂分布，其中所述宽度w<sub>jte</sub>小于或等于一维耗尽宽度(W<sub>depl_1D</sub>)的宽度的五(5)倍的倍数，以及其中所述半导体器件(200)的电荷容差大于1.0x10<sup>13</sup>/cm<sup>2</sup>。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||