半导体装置之制造方法

摘要

本发明系提供半导体装置的制造方法，其对于半导体或半导体装置之基板的薄层化，能够基板不破裂地处理且高良率地实施背面半导体/金属之间接触改善的热处理，良率佳地制造半导体装置。本发明之半导体装置的制造方法，系从半导体基板表面侧到中途为止切割并形成切入部，基板表面侧将固定在支持基台。接着，研磨基板背面侧并将半导体基板薄层化后，在基板背面依序形成金属电极、成为热容纳层的碳膜。接着，以0.01ms~10ms的短时间在碳膜上照射功率密度1kW/cm2~1MW/cm2的光，从碳膜传达热并将半导体和金属电极的界面进行合金化。之后，从切入部分离半导体基板并将之个片化。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征为具有：进行从半导体基板之表面侧到中途的切割(dicing)而形成切入部，将前述半导体基板之表面侧固定在基板支持基台上的步骤；研磨前述半导体基板之背面侧而对半导体基板进行薄层化的步骤；在前述半导体基板之背面堆积金属层，在该金属层上形成成为热容纳层之类钻碳膜或无定形碳皮膜(以下称为碳膜)的步骤；以0.01ms~10ms的短时间，照射功率密度1kW/cm2~1MW/cm2的光至前述碳膜的表面，以既定温度对前述金属层和接触该金属层的半导体进行热处理的步骤；以及将前述半导体基板从前述切入部分离而个片化的步骤。