| 发明名称 | 非易失性存储器件的编程方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储器件的编程方法，包括：根据要被编程的数据来浮置被选择存储单元的沟道；以及驱动被选择存储单元和未选择存储单元的字线，以在被选择存储单元和未选择存储单元之间产生栅致漏极泄漏。 | ||
| 申请公布号 | CN101740127B | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN200910206438.4 | 申请日期 | 2009.11.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李载德;郑舜文;崔正达 |
| 分类号 | G11C16/10(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邵亚丽 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件的编程方法，包括：根据要被编程的数据来浮置被选择存储单元的沟道；以及驱动被选择存储单元和未选择存储单元的字线，以在被选择存储单元和未选择存储单元之间产生栅致漏极泄漏，其中：以低于编程电压的通过电压和高于通过电压且低于编程电压的电压中的一个来驱动被选择存储单元的字线，以地电压、负电压和高于地电压且低于电源电压的电压中的一个来驱动位于被选择存储单元的字线和共用源极线之间的未选择存储单元的字线，并且以通过电压来驱动位于被选择存储单元的字线和位线之间的未选择存储单元的字线。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||