半导体器件的形成方法

摘要

本发明的实施例提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层具有沟槽；氧化所述沟槽侧壁的部分层间介质层，形成氧化层；对靠近沟槽侧壁的部分厚度的所述氧化层进行氮化处理，形成位于所述沟槽侧壁的保护层、位于所述层间介质层和保护层之间的牺牲层；待形成所述保护层后，填充所述沟槽形成与所述层间介质层表面齐平的导电线；去除所述牺牲层，形成空气间隙。本发明的实施例可以形成均一性好的空气间隙，有效降低了互连层中的有效K值，且不会损伤导电线，提高了半导体器件在半导体集成电路中的性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底表面形成有层间介质层，所述层间介质层具有沟槽；其特征在于，还包括：采用气体氧化所述沟槽侧壁的部分层间介质层，形成氧化层；对靠近沟槽侧壁的部分厚度的所述氧化层进行气体氮化处理，形成位于所述沟槽侧壁的保护层、位于所述层间介质层和保护层之间的牺牲层，所述牺牲层的宽度均一；待形成所述保护层后，填充所述沟槽形成与所述层间介质层表面齐平的导电线；去除所述牺牲层，形成空气间隙。