一种在导电基底上自发沉积三维石墨烯的方法

摘要

本发明公开了一种在导电基底上自发沉积三维石墨烯的方法，属于功能材料领域。所述方法步骤如下：第一步：利用氧化剥离石墨法制备得到8～20mg/mL氧化石墨烯溶液；第二步：将8～20mg/mL氧化石墨烯溶液稀释，使氧化石墨烯溶液的浓度为0.5～3mg/mL；第三步：将导电基底放到氧化石墨烯溶液中静置，反应6～12小时后取出导电基底，三维石墨烯沉积在导电基底的表面；第四步：对第三步得到的三维石墨烯直接进行冷冻干燥或洗涤后再冷冻干燥，得到干燥多孔的功能化的三维石墨烯或纯净的干燥多孔三维石墨烯。所述方法制备过程简单、环境友好，得到的三维石墨烯材料结构呈三维、多孔状，具有比表面积大、柔韧性好的特点。

主权项

一种在导电基底上自发沉积三维石墨烯的方法，其特征在于，所述方法步骤如下：第一步：利用氧化剥离石墨法制备得到8～20mg/mL氧化石墨烯溶液；第二步：将8～20mg/mL氧化石墨烯溶液稀释，使氧化石墨烯溶液的浓度为1.7～3mg/mL；第三步：将导电基底放到第二步配制好的氧化石墨烯溶液中静置，反应6～12小时后取出导电基底，氧化石墨烯被还原得到三维石墨烯，并沉积在导电基底的表面；第四步：对第三步得到的三维石墨烯直接进行冷冻干燥，得到干燥多孔的功能化三维石墨烯；或先清洗掉第三步得到的三维石墨烯上附着的金属氧化物后再进行冷冻干燥，得到纯净的干燥多孔三维石墨烯；所述导电基底为以下五种中的一种，其中：第一种为真空溅射喷Cu的Ag、Pt或Au箔；第二种为通过化学反应沉积了纳米结构的Ag、Pt或Au的Cu箔；第三种为真空溅射喷Cu的Si片；第四种为导电面的半面真空溅射喷Cu的导电玻璃；第五种为带有石墨烯膜的Cu基底；第二步中稀释采用达到蒸馏水纯度及以上的水；第三步中静置温度为室温～60℃。