结晶化的硅的检测方法及装置

摘要

本发明涉及适用于低温多晶硅工序的激光结晶化的硅的检测方法。本发明公开通过准分子激光退火技术，考虑由设在绝缘基板上的结晶化的硅的表面的突起的形状及大小引起的米氏散射或瑞利散射现象的特性来检测结晶化的硅的表面的结晶质量的结晶化的硅的检测方法及装置。本发明的结晶化的硅的检测装置，通过低温多晶硅工序检测由非晶硅转换而成的结晶化的硅，其特征在于，包括：工作台，用于放置结晶化的硅；光源，向结晶化的上述硅的表面照射入射光；照相机，捕捉在上述入射光所照射的结晶化的硅的表面因突起的形状而反射出的散射光的颜色及亮度变化；以及判别部，通过分析由上述照相机捕捉到的图像，来判别是否不合格。

主权项

一种结晶化的硅的检测装置，通过低温多晶硅工序检测由非晶硅转换而成的结晶化的硅，其特征在于，包括：工作台，用于放置结晶化的硅；光源，向结晶化的上述硅的表面照射入射光；照相机，捕捉在上述入射光所照射的结晶化的硅的表面因突起的形状而反射出的散射光的颜色及亮度变化，上述照相机设在上述散射光和结晶化的硅的表面呈10～30°的位置；以及判别部，通过分析由上述照相机捕捉到的图像，来判别是否不合格。