一种基于终点检测的SOI衬底刻蚀方法

摘要

本发明提供一种基于终点检测的SOI衬底刻蚀方法，其包括：采用刻蚀气体对顶层硅进行刻蚀；在刻蚀过程中，通过刻蚀腔体内的分光光度计检测对应于反应产物的光发射谱的强度来判断反应产物的浓度；当顶层硅被刻蚀完毕刻蚀气体接触到下层掩埋氧化层时，反应产物的浓度会迅速降低；当反应物浓度降低到某一设定值时刻蚀过程自动停止；选用适当比例的混合气体过刻蚀适当时间，保证浅槽隔离底部无硅残留并对底部拐角处进行平滑处理。本发明的方法当刻蚀气体接触到下层掩埋氧化层时，主刻蚀过程及时停止，避免了对SOI的侧向过刻蚀。对于不同顶层硅厚度的SOI衬底，只需一个刻蚀菜单就可以保证浅槽隔离底部没有硅残留。

主权项

一种基于终点检测的SOI衬底刻蚀方法，其包括：采用刻蚀气体对SOI衬底的顶层硅进行刻蚀；在刻蚀过程中，通过刻蚀腔体内的分光光度计检测对应于反应产物的光发射谱的强度来判断反应产物的浓度；当顶层硅被刻蚀完毕刻蚀气体接触到下层掩埋氧化层时，反应产物的浓度会迅速降低，当所判断的反应产物的浓度降低到设定值时自动停止刻蚀过程；选用混合气体对SOI衬底进行过刻蚀，保证浅槽隔离底部无硅残留并对底部拐角处进行平滑处理。