发明名称 |
形成封装结构的机制 |
摘要 |
本发明提供了用于形成封装结构的机制的实施例。形成封装结构的方法包括:提供半导体管芯以及在半导体管芯上方形成第一凸块结构和第二凸块结构。第二凸块结构比第一凸块结构更矮和更宽。该方法还包括提供衬底,在衬底上形成有第一接触焊盘和第二接触焊盘。该方法还包括分别在第一接触焊盘和第二接触焊盘上方形成第一焊膏结构和第二焊膏结构。第二焊膏结构比第一焊膏结构更厚。此外,该方法包括将第一凸块结构和第二凸块结构分别与第一焊膏结构和第二焊膏结构回流,以使半导体管芯接合至衬底。 |
申请公布号 |
CN104299920A |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201310470704.0 |
申请日期 |
2013.10.10 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈宪伟 |
分类号 |
H01L21/60(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/60(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种用于形成封装结构的方法,包括:提供半导体管芯;在所述半导体管芯上方形成第一凸块结构和第二凸块结构,所述第二凸块结构比所述第一凸块结构更矮和更宽;提供衬底,在所述衬底上形成有第一接触焊盘和第二接触焊盘;在所述第一接触焊盘和所述第二接触焊盘上方分别形成第一焊膏结构和第二焊膏结构,所述第二焊膏结构比所述第一焊膏结构更厚;以及将所述第一凸块结构和所述第二凸块结构分别与所述第一焊膏结构和所述第二焊膏结构回流,以将所述半导体管芯接合至所述衬底。 |
地址 |
中国台湾新竹 |