使用交替闸极介电材料以增进电晶体通道移动率之技术

摘要

一种设备包含基板、形成在基板上的声子解耦层、形成在声子解耦层上的闸极介电层、形成在闸极介电层上的闸极电极、形成在闸极电极的相对侧上的一对间隔体、形成在基板中在声子解耦层下方的源极区域、及形成在基板中在声子解耦层下方的汲极区域。声子解耦层避免二氧化矽界面层的形成并减少高k声子与基板中的场之间的耦合。

主权项

一种使用交替闸极介电材料以增进电晶体通道移动率之设备，包含：基板；直接配置在该基板上的声子解耦层，该声子解耦层包含一材料，其缺少氧来源，具有落在5.4及9.1之间的介电常数，具有相比块矽显着减少的低于15THz之声子密度状态，并具有在4eV以上的电子带隙；形成在该声子解耦层上的第二闸极介电层；形成在该第二闸极介电层上的闸极电极；形成在该闸极电极的相对侧上的一对间隔体；形成在该基板中在该声子解耦层下方的源极区域；及形成在该基板中在该声子解耦层下方的汲极区域，其中该源极区域与该汲极区域是在该闸极电极之相对侧上。