发明名称 |
内建电子倍增功能型之固体摄像元件 |
摘要 |
本发明之内建电子倍增功能型之固体摄像元件中,在倍增暂存器EM之垂直于电子传送方向的剖面内,绝缘层2两侧部之厚度大于区域之厚度,在N型半导体区域1C之区域与两侧部之交界,形成有一对溢流式汲极1N,各溢流式汲极1N系沿着倍增暂存器EM之电子传送方向延伸。溢流式闸极电极G系从绝缘层2之较薄部分以至较厚部分延伸,又,其系介存于各传送电极8(8A、8B)之长向之两端部与绝缘层2之间,且作为对各电极8(8A、8B)之屏蔽电极亦发挥功能。 |
申请公布号 |
TWI470781 |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
TW099102723 |
申请日期 |
2010.01.29 |
申请人 |
滨松赫德尼古斯股份有限公司 日本 |
发明人 |
铃木久则;米田康人;高木慎一郎;前田坚太郎;村松雅治 |
分类号 |
H01L27/148;H04N5/335 |
主分类号 |
H01L27/148 |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
主权项 |
一种内建电子倍增功能型之固体摄像元件,其特征在于具备:摄像区域;传送来自上述摄像区域之电子之水平移位暂存器;及倍增来自上述水平移位暂存器之电子之倍增暂存器;且上述倍增暂存器具备:半导体区域;形成于上述半导体区域上之绝缘层;毗连于上述绝缘层上而形成之复数个传送电极;及配置于上述传送电极间且被施加直流电位之DC电极;且在上述倍增暂存器之垂直于电子传送方向之剖面内,上述绝缘层两侧部之厚度大于中央区域之厚度,且在上述半导体区域之上述中央区域与上述两侧部之交界,形成有一对溢流式汲极;上述各溢流式汲极系沿着上述倍增暂存器之电子传送方向延伸。 |
地址 |
日本 |