| 主权项 |
1.一种通式如下之化合物:或其中:M为Zr、Hf或Ti;(C5H5-y-xRx)为一经以零至五个取代基R取代之茂环,〝x〞-为1.2.3.4或5,代表取代的程度,而且各取代基R皆为独立选自C1-C20烃基,经取代之C1-C20烃基,其中,一个或多个氢原子经卤原子取代;C1-C20烃基取代之类金属基,其中,该类金属系选自元素周期表的IVA族,以及卤素的基团,或者(C5H5-y-xRx)为一茂环,其中,两个相邻的R-基相接形成C4-C20环以提供饱和或不饱和多环戊配合基;(JR'z-1-y)为一杂原子配合基,其中,J为一配位数为三之元素周期表之VA族的元素或一配位数为二之元素周期表之VIA族的元素,各R'为独立选自C1-C20烃基,经取代之C1-C20烃基,其中,一个或多个氢原子经卤原子取代,而〝Z〞则为该元素J之配位数;各Q皆可独立为任何一价的阴离子配合基,或者两个Q同时为二价的阴离子螫合剂,当W大于0时〝y〞为0或1,当W为0时〝y〞为1,当〝y〞为1时,则B为一含IVA或VA族元素之共价桥基;L为一Lewis硷,而〝w〞则代表0至3的数字。2.通式如下之化合物:或其中:M为Zr、Hf或Ti;(C5H4-xRx)为一经以零至四个取代基R取代之茂环,〝x〞为0.1、2.3.或4,代表取代的程度,而且各取代基R皆为独立选自C1-C20烃基,经取代之C1-C20烃基,其中,一个或多个氢原子经以卤原子取代;C1-C20烃基一取代之类金属基,其中,该类金属系选自元素周期表的IVA族,以及卤素的基,或者(C5H4-xRx)为一茂环,其中,两个相邻的R基相接形成C4-C20环以提供饱和或不饱和多环戊配合基;(JR'z-2)为一杂原子配合基,其中,J为一配位数为三之元素周期表之VA族的元素或一配位数为二之元素周期表之VIA族的元素,而且各R'为独立选自C1-C20烃基,经取代之C1-C20烃基,其中,一个或多个氢原子经卤原子取代的基,而〝Z〞则为该元素J之配位数;各Q皆可独立为一价阴离子配合基,或者两个Q同时为二价的阴离子螫合配合基;B为一含有IVA或VA族元素之共价桥基;L为一Lewis硷,而〝w〞则代表0至3的数字。3.如申请专利范围第1或该2项之化合物,其中,Q为氢化物、卤素或除了茂环基以外之烃基。4.如申请专利范围第3项之化合物,其中,Q为经取代或未经取代之C1-C20烃基,醇盐、芳基氧、氨化物、芳基氨、磷化物或芳基磷,条件是当任何Q为烃基时则此Q将和(C5H4-xRx)不同或者同时为次烷基或环金属取代之烃基。5.一种烯属烃聚合用触媒系统,其包含(A)如申请专利范围第1或2项之化合物及一铝氧烷或(B)如申请专利范围第1或2项之化合物,烷基铝和水;A :M之莫耳比为10:1到20,000:1。6.一种制备聚烯属烃之方法,其包括:(A)在合适之条件及足够时间下,使申请专利范围第10项之触媒系统与单体接触以使单体聚合;(B)维持该接触;且(C)回收所产制之聚烯烃产物。7.如申请专利范围第6项之方法,其中,茂金属化合物,铝氧烷或是烷基铝和水在聚合前已经部分或完金反应。8.一种制造如申请专利范围第1或第2项中任何一项之化合物的方法,其包括使d。(最外层之d次轨道不含电子)IVB过渡金属卤化物与一种盐反应,该盐含有式[(C5H4-xRx)-B-(JR'z-2)]2-及元素周期表1A旅之二个阳离子或元素周期表ⅡA族之一个阳离子。9.如申请专利范围第8项之方法,于小之阳离子为锂。10.如申请专利范围第8项之方法,其中之IVB族金属卤化物为氯化锆(Ⅳ)域氯化铪(Ⅳ)。11.如申请专利范围第8项之方法,其中,Q独立为卤素、氢化物、或是经取代或未经取代之C1-C20烃基、醇盐、芳基氧、氨化物、芳基氨、磷化物或芳基磷,条件是当任何Q为烃基时则此Q和(C5H4-xRx)不同或者两个Q同时为次烷 |
