发明名称 |
采用直流辉光放电质谱法测定高纯α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中杂质元素的方法 |
摘要 |
一种采用直流辉光放电质谱法测定高纯α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中杂质元素的方法,包括以下步骤:(1)将Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉末与铜粉按比例混合均匀,然后将混合粉末压片,用N<sub>2</sub>吹去压片样品表面的粉末,装入样品池中;(2)设定放电气体流量为500mL/min,放电电流为30mA,离子源冷却温度为5~25℃,预溅射15min;(3)在步骤(2)设定的实验条件下,采集待测元素的信号强度,以Al、O、Cu产生的信号加和定义为100%,根据待测元素信号强度与Al、O、Cu三种元素获得的信号强度总和的比值来计算混合粉末中待测元素含量;扣除铜粉自身含有的待测元素含量,获得Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中待测元素含量。本发明实现了直流辉光放电质谱法对不导电的α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉末中杂质元素含量的测定,其测定结果与直流电弧发射光谱法基本吻合。 |
申请公布号 |
CN104297333A |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201310302981.0 |
申请日期 |
2013.07.17 |
申请人 |
北京有色金属研究总院 |
发明人 |
胡芳菲;王长华;李继东 |
分类号 |
G01N27/68(2006.01)I |
主分类号 |
G01N27/68(2006.01)I |
代理机构 |
北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 |
代理人 |
程凤儒 |
主权项 |
一种采用直流辉光放电质谱法测定高纯α‑Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中杂质元素的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉末与铜粉按比例混合均匀,然后将混合粉末压片,用N<sub>2</sub>吹去压片样品表面的粉末,装入样品池中;(2)设定放电气体流量为500mL/min,放电电流为30mA,离子源冷却温度为5~25℃,预溅射15min;(3)在步骤(2)设定的实验条件下,直流辉光放电质谱自动采集待测元素的信号强度,以Al、O、Cu产生的信号加和定义为100%,根据待测元素信号强度与Al、O、Cu三种元素获得的信号强度总和的比值来计算混合粉末中待测元素含量;扣除铜粉自身含有的待测元素含量,获得Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>中待测元素含量,按公式(1)计算:<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><msubsup><mi>w</mi><mrow><mi>A</mi><msub><mi>l</mi><mn>2</mn></msub><msub><mi>O</mi><mn>3</mn></msub></mrow><mi>X</mi></msubsup><mo>=</mo><msubsup><mi>w</mi><mi>M</mi><mi>X</mi></msubsup><mo>+</mo><mrow><mo>(</mo><msubsup><mi>w</mi><mi>M</mi><mi>X</mi></msubsup><mo>-</mo><msubsup><mi>w</mi><mi>Cu</mi><mi>X</mi></msubsup><mo>)</mo></mrow><mi>R</mi><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA00003526587100011.GIF" wi="1200" he="73" /></maths>式中:<img file="FDA00003526587100012.GIF" wi="110" he="61" />——Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉末中待测元素X质量含量,单位为μg/g;<img file="FDA00003526587100013.GIF" wi="60" he="59" />——混合粉末中待测元素X质量含量,单位为μg/g;<img file="FDA00003526587100014.GIF" wi="63" he="60" />——铜粉中待测元素X质量含量,单位为μg/g;R——铜粉与Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>粉末质量比。 |
地址 |
100088 北京市西城区新街口外大街2号 |