发明名称 |
P型HIT太阳能电池结构 |
摘要 |
本发明提供一种P型HIT太阳能电池结构,采用石墨烯薄膜作为HIT太阳能电池的窗口层可以在保证光的透过率及其的高的导电率的同时可以降低载流子在n-a-Si与透明导电薄膜层的势垒,同时由于石墨烯薄膜高的透移率和导电性,从而提高电池的短路电流密度,提高效率。 |
申请公布号 |
CN104300026A |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201410592135.1 |
申请日期 |
2014.10.29 |
申请人 |
高影 |
发明人 |
高影 |
分类号 |
H01L31/0747(2012.01)I |
主分类号 |
H01L31/0747(2012.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种P型HIT太阳能电池结构:包括P型单晶硅片(1)、P型单晶硅片(1)正反面沉积本征非晶硅膜(2),在正面的本征非晶硅薄膜(2)上依次沉积N型重掺杂非晶硅膜(3)、SiO2薄膜(5)和N型掺杂石墨烯薄膜(7),在正面N型石墨烯薄膜(7)上印刷银金属栅线正电极(9);在N型单晶硅片背面的本征非晶硅薄膜(2)上依次沉积P型重掺杂非晶硅薄膜(4)、沉积Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜(6)和IWO透明导电薄膜(8),在背面透明的IWO导电薄膜(8)上印刷银金属栅线电极(10)。 |
地址 |
223800 江苏省宿迁市宿城区陈集镇闸塘村十二组27号 |