一种紫外半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种紫外半导体发光器件及其制造方法，其结构包括：发光外延层，由n型半导体层、发光层、p型半导体层构成，其一侧为出光面，另一侧为非出光面；隧道结，位于所述发光外延层的非出光面一侧，部分区域开孔露出发光外延层；光学相位匹配层，位于所述露出的发光外延层的表面层上，可透紫外线；反射层，覆盖整个隧道结和光学相位匹配层上。在发光外延层表面制备多层隧道结，并制作图形化结构，降低欧姆接触电阻的同时，减少外延表层对紫外线的吸收，从而提升亮度及降低电阻，以求达到高性能紫外线发光器件的广泛应用。

主权项

一种发光波长为100～380 nm的紫外半导体发光器件，包括：发光外延层，由n型半导体层、发光层、p型半导体层构成，其一侧为出光面，另一侧为非出光面；隧道结，位于所述发光外延层的非出光面一侧，为图形化结构，部分区域开孔露出发光外延层；光学相位匹配层，位于所述露出的发光外延层的表面层上，可透紫外线；反射层，覆盖整个隧道结和光学相位匹配层上。