单向瞬态电压抑制器

摘要

本发明涉及一种单向瞬态电压抑制器。其中，外延层位于衬底上方。第一和第二本体区形成在外延层中，并且相互间隔一预设的水平间距。触发和源极区形成在外延层中。第一源极区在第一和第二触发区之间的第一本体区横切附近，第一和第二触发区在第一源极区的水平附近，且在第一本体区的横切附近。第二源极区位于第三和第四触发区之间的第二本体区横切附近，第三和第四触发区在第二源极区的水平附近，且在第二本体区的横切附近。第四触发区在第二和第三源极区之间。第四触发区中的植入区在第三源极区的水平附近。

主权项

一种单向瞬态电压抑制器器件，其特征在于，包括：a) 一个第一导电类型的半导体衬底；b) 一个形成在衬底上的第一导电类型的外延层；c) 一个与第一导电类型相反的第二导电类型的第一和第二本体区，形成在外延层中，第一和第二本体区之间水平间隔一预定距离；d) 一组第二导电类型的触发区，形成在外延层的顶面中；e) 一组第一导电类型的源极区，形成在外延层的顶面中；触发区和源极区包括：一个第一源极区，位于第一和第二触发区之间的第一本体区的横切附近，所述第一和第二触发区水平靠近第一源极区，且横切靠近第一本体区；一个第二源极区，位于第三和第四触发区之间的第二本体区的横切附近，所述第三和第四触发区水平靠近第二源极区，且横切靠近第二本体区；一个第三源极区，水平靠近第四触发区，所述第四触发区位于第二和第三源极区之间；以及f) 一个第二导电类型的植入区，位于第四触发区中，所述植入区水平靠近第三源极区；其中，第二导电类型的植入区和第三源极区将第二本体区域短接至第一导电类型的半导体衬底以及外延层的其中部分区域。