发明名称 |
一种使用热管的压接式IGBT封装结构 |
摘要 |
本实用新型提供一种使用热管的压接式IGBT封装结构,由外壳和位于外壳内部的多个子单元结构组成,多个子单元并行设置;所述子单元结构包括上端盖、导电铜片、碟簧组、热管、底座、银片、钼片、芯片和下端盖;所述下端盖、芯片、钼片、银片和底座从下往上依次设置,所述热管上端插入上端盖、穿过碟簧组,其下端插入底座;所述导电铜片上端位于上端盖和碟簧组之间,其下端位于碟簧组和底座之间。本实用新型中芯片可被有效保护,同时由于使用了热管,功能上实现了双面散热,整体热阻较小;热管的引入,使得虽然单面硬接触,但散热路径依然很好,兼顾了芯片保护和较小的热阻。整体结构具有实现压接式IGBT短路失效、高可靠性等优点。 |
申请公布号 |
CN204118057U |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201420602519.2 |
申请日期 |
2014.10.17 |
申请人 |
国家电网公司;国网智能电网研究院 |
发明人 |
刘文广;韩荣刚;张朋 |
分类号 |
H01L23/31(2006.01)I;H01L23/427(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/31(2006.01)I |
代理机构 |
北京安博达知识产权代理有限公司 11271 |
代理人 |
徐国文 |
主权项 |
一种使用热管的压接式IGBT封装结构,其特征在于:所述封装结构由外壳和位于外壳内部的多个子单元结构组成,多个子单元并行设置;所述子单元结构包括上端盖、导电铜片、碟簧组、热管、底座、银片、钼片、芯片和下端盖;所述下端盖、芯片、钼片、银片和底座从下往上依次设置,所述热管上端插入上端盖、穿过碟簧组,其下端插入底座;所述导电铜片上端位于上端盖和碟簧组之间,其下端位于碟簧组和底座之间。 |
地址 |
100031 北京市西城区西长安街86号 |