一种应用于等离子体处理装置的气体喷淋头

摘要

本发明提供了一种应用于等离子体处理装置的气体喷淋头，其中，所述气体喷淋头至少包括：一支撑板，其具有从其顶面至底面之间延伸的第一气体通道；一上电极，所述上电极位于所述支撑板下表面，所述上电极包括：一圆形板，其中设置有一个或多个真空空洞，该圆形板于其底面上具有一曝露于等离子体的一气体分布板，所述上电极具有从其顶面至底面之间延伸并与所述第一气体通道相配合的第二气体通道，本发明还提供了包含上述气体喷淋头的等离子体处理装置，本发明能够有效改善基片制程均一性。

主权项

一种应用于等离子体处理装置的气体喷淋头，所述气体喷淋头至少包括：支撑板，其具有从其顶面至底面之间延伸的第一气体通道；上电极，所述上电极位于所述支撑板下表面，所述上电极包括：一圆形板，该圆形板系由电导体材料制成，其中该圆形板的内设置有一个或多个真空空洞，该一个或多个真空空洞贯穿至该圆形板的底面，该圆形板的底面具有一曝露于等离子体的气体分布板，所述上电极具有从其顶面至底面之间延伸并与所述第一气体通道相配合的第二气体通道。