记忆体单元及记忆体单元阵列

摘要

本发明揭示一些实施例，其等包含记忆体单元。该等记忆体单元可具有一第一电极，及在该第一电极之上之一沟槽形状之可程式化材料结构。该沟槽形状界定一开口。该可程式化材料可经组态以可逆地保持一导电桥。该记忆体单元可具有直接抵着该可程式化材料之一离子源材料，并且可具有在藉由该沟槽形状之可程式化材料界定之该开口内的一第二电极。一些实施例包含记忆体单元阵列。该等阵列可具有第一电气导电线，及在该等第一线之上之沟槽形状之可程式化材料结构。该等沟槽形状之结构可界定其等内之开口。离子源材料可直接抵着该可程式化材料，并且第二电气导电线可在该离子源材料之上并且在藉由该等沟槽形状之结构界定之开口内。

主权项

一种记忆体单元，其包括：一第一电极；在该第一电极之上之一沟槽形状之可程式化材料结构；该沟槽形状界定其中之一开口，该可程式化材料经组态以可逆地保持一导电桥；该记忆体单元在该导电桥保持于该可程式化材料内时在一低电阻状态中，并且在该导电桥不在该可程式化材料内时在一高电阻状态中；直接抵着该可程式化材料之一离子源材料；一第二电极，其延伸至藉由该沟槽形状之可程式化材料界定之该开口中；及沿该沟槽形状之可程式化材料结构之外侧壁边缘之一高k介电结构。