| 发明名称 |
光电半导体晶片及光电半导体晶片之制造方法 |
| 摘要 |
在至少一实施形式中，光电半导体晶片(1)具有一用于产生电磁辐射之半导体层序列(2)、以及银镜面(3)。该银镜面(3)配置在该半导体层序列(2)上。氧添加至该银镜面(3)之银。该银镜面(3)上该氧之重量成份较佳是至少10-5且较佳是最多10%。 |
| 申请公布号 |
TWI470835 |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
| 申请号 |
TW101135463 |
申请日期 |
2012.09.27 |
| 申请人 |
欧斯朗奥托半导体股份有限公司 德国 |
发明人 |
吉尔克 凯;普兹梅尔 可宾年;弗洛特 理查;屈米德 克里斯汀 |
| 分类号 |
H01L33/46 |
主分类号 |
H01L33/46 |
| 代理机构 |
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代理人 |
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;王彦评 台北市大安区敦化南路2段77号8楼 |
| 主权项 |
一种光电半导体晶片(1)，具有-半导体层序列(2)，以及-银镜面(3)，其中该银镜面(3)配置在该半导体层序列(2)上，且氧添加至该银镜面(3)之银中，该氧之重量成份至少10-5且最多10%，且其中直接在该银镜面(3)之远离该半导体层序列(2)之一侧上施加一覆盖层(4)，该覆盖层(4)包括一种金属氧化物或由一种或多种金属氧化物构成。 |
| 地址 |
德国 |
