发明名称 半导体元件及其制作方法
摘要 一种半导体元件及其制作方法,其中半导体元件包括一闸极、一通道层、一闸绝缘层、一源极、一汲极以及一矽铝氧化物层。闸极配置于基板上。通道层配置于基板上,且与闸极重叠设置。闸极绝缘层位于闸极与通道层之间。源极以及汲极设置于通道层二侧。矽铝氧化物层配置于基板上并覆盖源极、汲极以及通道层。
申请公布号 TWI470808 申请公布日期 2015.01.21
申请号 TW100149292 申请日期 2011.12.28
申请人 友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 发明人 杜振源;高逸群;吴淑芬;林俊男
分类号 H01L29/786;H01L21/336;H01L21/316 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种半导体元件,包括:一闸极,配置于一基板上;一通道层,配置于该基板上,且与该闸极重叠设置,其中该通道层的材料包括氧化物半导体;一闸绝缘层,位于该闸极与该通道层之间,其中该闸绝缘层的材料包括矽铝氧化物;一源极以及一汲极,设置于该通道层二侧;以及一矽铝氧化物层,配置于该基板上并覆盖该源极、该汲极以及该通道层,其中该通道层与该矽铝氧化物层以及该闸绝缘层接触。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号