发明名称 |
半导体元件及其制作方法 |
摘要 |
一种半导体元件及其制作方法,其中半导体元件包括一闸极、一通道层、一闸绝缘层、一源极、一汲极以及一矽铝氧化物层。闸极配置于基板上。通道层配置于基板上,且与闸极重叠设置。闸极绝缘层位于闸极与通道层之间。源极以及汲极设置于通道层二侧。矽铝氧化物层配置于基板上并覆盖源极、汲极以及通道层。 |
申请公布号 |
TWI470808 |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
TW100149292 |
申请日期 |
2011.12.28 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |
发明人 |
杜振源;高逸群;吴淑芬;林俊男 |
分类号 |
H01L29/786;H01L21/336;H01L21/316 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;叶璟宗 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
一种半导体元件,包括:一闸极,配置于一基板上;一通道层,配置于该基板上,且与该闸极重叠设置,其中该通道层的材料包括氧化物半导体;一闸绝缘层,位于该闸极与该通道层之间,其中该闸绝缘层的材料包括矽铝氧化物;一源极以及一汲极,设置于该通道层二侧;以及一矽铝氧化物层,配置于该基板上并覆盖该源极、该汲极以及该通道层,其中该通道层与该矽铝氧化物层以及该闸绝缘层接触。 |
地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |