发明名称 发光装置
摘要 一发光装置包括一发光结构其包括一第一半导体层、一主动层和一第二半导体层;一第一孔洞穿越该第一半导体层和该主动层以暴露出该第二半导体层;一第一电极从该第一孔洞中的该第二半导体层延伸至该第一孔洞的外部;一第二电极设置在该第一半导体层之底面的外周边区域且与该第一电极间隔开,并同时环绕该第一电极的侧边;以及一第一绝缘层介于该第一电极和该发光结构之间。
申请公布号 TWI470832 申请公布日期 2015.01.21
申请号 TW100105924 申请日期 2011.02.23
申请人 LG伊诺特股份有限公司 南韩 发明人 曹京佑;黄盛珉
分类号 H01L33/36;H01L33/64 主分类号 H01L33/36
代理机构 代理人 陈瑞田 高雄市凤山区建国路3段256之1号
主权项 一种发光装置,包括:一发光结构包括一第一半导体层、一主动层和一第二半导体层;一第一孔洞穿越该第一半导体层和该主动层以暴露出该第二半导体层;一第一电极从在该第一孔洞中的该第二半导体层延伸至该第一孔洞的外部;一第二电极设置在该第一半导体层之底面的外周边区域且与该第一电极间隔开,并同时环绕该第一电极的侧边;一第一绝缘层位于该第一电极和该发光结构之间;一第一反射层位于该第一电极及该第二半导体层之间;一第二反射层位于该第一半导体层及该第二电极之间,且该第二反射层的一部份在该第一电极及该第一绝缘层之间延伸;以及一第二绝缘层位于该第一电极及该第二反射层之间。
地址 南韩