发明名称 矩阵排列基板及其制造方法
摘要 本发明系有关于矩阵排列基板及其制造方法,而其中液晶显示装置用矩阵排列基板其主要备有:透明基板、形成在该透明基板之由透明导电材料所构成之多种的画素电极以及分别连接至该些画素电极而被形成在上述透明基板上之非线性电阻装置,又其特征在于:该非线性电阻装置系由:被形成在透明基板上之由Ta所构成之第1电极、第2电极以及设在该些第1、第2电极之间之绝缘层等所构成,其中第1电极经由由Ta所形成之中间连接层而被连接至其他之非线性电阻装置,又在透明基板与中间连接层之间则形成有透明导电层,而在透明基板与第1电极之间则未形成透明导电层。
申请公布号 TW201343 申请公布日期 1993.03.01
申请号 TW080108990 申请日期 1991.11.15
申请人 东芝股份有限公司 发明人 西村和也;春原庆子;森田广
分类号 G02F1/13 主分类号 G02F1/13
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1﹒一种液晶显示装置用矩阵排列基板,其主要备有:透明基板、形成在该透明基板之由透明导电材料所构成之多数的画素电极以及分别连接至该些昼素电极而被形成在上述透明基板上之非线性电阻装置,又其特征在于:该非线性电阻装置系由:被形成在透明基板上之由Ta所构成之第1电极、第2电极以及设在该些第1.第2电极之间之绝缘层等所构成,其中第1直极经由由Ta所形成之中间连接层而被连接至其他之非线性电阻装置,又在透明基板与中间连接层之间则形成有透明导电层,而在透明基板与第1电极之间则未形成透明导电层。2﹒如申请专利范围第1项之矩阵排列基板,上述第2电极,系自由Ti、Mo、Ae、Ag、Cr以及Ta所构成之群中所选择之材料所形成。3﹒如申请专利范围第1项之矩阵排列基板,上述绝缘层,系一藉第一电极上阳极氧化作用所形成之钛氧化物。4﹒如申请专利范围第1项之矩阵排列基板,上述透明导电材料系铟锡氧化物。5﹒如申请专利范围第1项之矩阵排列基板,在上述第1电极上表面更具备有金属层。6﹒如申请专利范围第1项之矩阵排列基板,上述金属层,系自由Cu、Mi、Cr、Zn、Sn、Au、Ag、Cu-Zn合金、Sn-Co合金、Fe-W合金、Co-W合金、Fe-Mo合金、Fe-Ta合金、Mi-P合金、Ni-Ta合金以及该些积层体所构成之群中所选择之金属所形成。7﹒一种液晶显示装置用矩阵排列基板之制造方法,其主要特征系包括:在透明基板上形成透明导电层之工程;及将该透明导电层加以图案化,而形成多个昼素电极与多个透明导电中间连接层之工程;及在上述透明基板上之多个非线性电阻装置形成预定领域上形成由Ta所构成之第1电极以及在上述透明导电层中间连接层上形成由Ta所形成之第2电极之工程;及在上述第1电极上形成绝缘层之工程;及在该绝缘层上形成与上述画素电极连接之第2电极之工程;藉上述多个第1电极多个绝缘层以及多个第2电极可构成多个非线性电阻装置,且该些乃互相地连结。8﹒如申请专利范围第7项之液晶显示装置用矩阵排列基板之制造方法,上述形成第1电极以及金属中间连接层之工程,系在整面地沈积Ta后,将所得到之Ta层加以图案化。9﹒如申请专利范围第7项之液晶显示装置用矩阵排列基板之制造方法,上述在第1电极上形成绝缘层之工程,系由在上述第1电极表面供给阳极氧化作用所构成。10﹒如申请专利范围第7项之液晶显示装置用矩阵排列基板之制造方法,上述第2电极系由自Ti、Mo、Ae、Ag、Cr以及Ta所构成之群中所选择之金属所形成。11﹒如申请专利范围第7项之液晶显示装置用矩阵排列基板之制造方法,上述透明导电材料系铟锡氧化物。12﹒如申请专利范围第7项之液晶显示装置用矩阵排列基板之制造方法,更具备有在上述透明导电中间连接层之表面形成金属层之工程。13﹒如申请专利范围第7项之液晶显示装置用矩阵排列基做之制造方法,上述金属模之形成工程,系由将Cu、Mi、Cr、Zn、Au、Ag、Cu-Zn合金、Sn-Co合金Fe-W合金、Co-W合金、Fe-Mo合金、Fe-Ta合金、Ni-P合金、Ni-Ta合金以及该积层体所构成之群中所选择之金属电镀至上述透明导电中间连接层所构成。图示简单说明第1图系表习知之矩阵排列基板之一画素部分的断面图。第2A一2H图系表本发明之矩阵排列基板之制造工程的断面图。第3图系表本发明之其他实施例之矩阵排列基板之一制造工程的断面图。
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