一种含掺杂宽势垒结构的黄绿光LED

摘要

一种含掺杂宽势垒结构的黄绿光LED，属于光电子技术领域，包括在GaAs衬底的一面生长的缓冲层、布拉格反射层、第一限制层、非掺杂超晶格第一有源层、掺杂宽势垒结构层、非掺杂超晶格第二有源层、第二限制层、GaP窗口层，在GaP窗口层上设置有第一电极，在GaAs衬底的另一面设置有第二电极。本发明可提高有源区的空穴注入，提升电子空穴复合效率，从而较大地提高产品光效，提升2%～4%芯片合格率，因此，本发明能够大量生产发光波长560～580nm范围的高效率及高产出良率的黄绿光波段的LED。

主权项

一种掺杂宽势垒结构的黄绿光LED，包括在GaAs衬底的一面生长的缓冲层、布拉格反射层、第一限制层、非掺杂超晶格第一有源层、第二限制层、GaP窗口层，在GaP窗口层上设置有第一电极，在GaAs衬底的另一面设置有第二电极；其特征在于：在非掺杂超晶格第一有源层和第二限制层之间生长掺杂宽势垒结构层和非掺杂超晶格第二有源层。