| 发明名称 | 非易失性电阻存储单元 | ||
| 摘要 | 本发明的示例包括非易失性电阻存储单元及其制造方法。非易失性电阻存储单元的示例包括非易失性电阻存储单元的第一部分，其被形成为位于第一电极上的垂直延伸结构，这里该第一部分包括跨该垂直延伸结构的宽度的至少一种忆阻材料。非易失性电阻存储单元还包括非易失性电阻存储单元的第二部分，其被形成为位于该第一部分的至少一个侧壁上的垂直延伸的忆阻材料结构。 | ||
| 申请公布号 | CN104303300A | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201280072903.X | 申请日期 | 2012.07.31 |
| 申请人 | 惠普发展公司，有限责任合伙企业 | 发明人 | 汉斯·塞-扬·肖;贾尼斯·H·尼克尔;R·斯坦利·威廉姆斯;鲁在星;朴金元;崔恩晶;朱文石;文智元;李昌久;孙英顺;金正太 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 郭艳芳;康泉 |
| 主权项 | 一种非易失性电阻存储单元，包括：所述非易失性电阻存储单元的第一部分，被形成为位于第一电极上的垂直延伸结构，其中所述第一部分包括跨所述垂直延伸结构的宽度的至少一种忆阻材料；以及所述非易失性电阻存储单元的第二部分，被形成为位于所述第一部分的至少一个侧壁上的垂直延伸的忆阻材料结构。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||