发明名称 |
无结晶体管及其制造方法 |
摘要 |
一种无结(junctionless)晶体管及其制造方法,制造方法包括:提供基底,所述基底包括介质层、位于所述介质层上的第一半导体层;图形化所述第一半导体层,形成源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和漏极区域之间的鳍;去除位于所述鳍下方的部分介质层,使所述鳍悬空于剩余介质层上;使所述鳍的表面平滑化,形成纳米线;对所述纳米线进行沟道离子掺杂,使离子掺杂浓度从纳米线表面到纳米线中心逐渐递减;在掺杂后的纳米线上形成围栅结构;对所述源极区域、漏极区域进行与纳米线沟道离子掺杂同类型的源漏掺杂,以形成源极和漏极。本发明能优化无结晶体管的性能。 |
申请公布号 |
CN104299905A |
申请公布日期 |
2015.01.21 |
申请号 |
CN201310299418.2 |
申请日期 |
2013.07.16 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
肖德元 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种无结晶体管的制造方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括介质层、位于所述介质层上的第一半导体层;图形化所述第一半导体层,形成源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和漏极区域之间的鳍;去除位于所述鳍下方的部分介质层,使所述鳍悬空于剩余介质层上;使所述鳍的表面平滑化,形成纳米线;对所述纳米线进行沟道离子掺杂,使离子掺杂浓度从纳米线表面到纳米线中心逐渐递减;在掺杂后的纳米线上形成围栅结构;对所述源极区域、漏极区域进行与纳米线沟道离子掺杂同类型的源漏掺杂,以形成源极和漏极。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |