发明名称 无结晶体管及其制造方法
摘要 一种无结(junctionless)晶体管及其制造方法,制造方法包括:提供基底,所述基底包括介质层、位于所述介质层上的第一半导体层;图形化所述第一半导体层,形成源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和漏极区域之间的鳍;去除位于所述鳍下方的部分介质层,使所述鳍悬空于剩余介质层上;使所述鳍的表面平滑化,形成纳米线;对所述纳米线进行沟道离子掺杂,使离子掺杂浓度从纳米线表面到纳米线中心逐渐递减;在掺杂后的纳米线上形成围栅结构;对所述源极区域、漏极区域进行与纳米线沟道离子掺杂同类型的源漏掺杂,以形成源极和漏极。本发明能优化无结晶体管的性能。
申请公布号 CN104299905A 申请公布日期 2015.01.21
申请号 CN201310299418.2 申请日期 2013.07.16
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 肖德元
分类号 H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I 主分类号 H01L21/336(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种无结晶体管的制造方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括介质层、位于所述介质层上的第一半导体层;图形化所述第一半导体层,形成源极区域、漏极区域以及位于所述源极区域和漏极区域之间的鳍;去除位于所述鳍下方的部分介质层,使所述鳍悬空于剩余介质层上;使所述鳍的表面平滑化,形成纳米线;对所述纳米线进行沟道离子掺杂,使离子掺杂浓度从纳米线表面到纳米线中心逐渐递减;在掺杂后的纳米线上形成围栅结构;对所述源极区域、漏极区域进行与纳米线沟道离子掺杂同类型的源漏掺杂,以形成源极和漏极。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
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