| 发明名称 | FinFET的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种FinFET的制造方法。该方法包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述半导体基底形成鳍；以及对所述半导体基底进行退火处理；其中，所述退火处理包括加入水汽。本发明的方法能够使得水汽对鳍进行氧化，从而缩减了鳍的CD，达到所需尺寸。同时，由于水汽的存在，在氧化鳍的过程中，自然的形成了圆化的顶角。 | ||
| 申请公布号 | CN104299914A | 申请公布日期 | 2015.01.21 |
| 申请号 | CN201410391255.5 | 申请日期 | 2014.08.08 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 王晶;孙鹏;高晶;冉春明 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种FinFET的制造方法，包括： 提供半导体基底； 在所述半导体基底上形成侧墙； 以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述半导体基底形成鳍；以及 对所述半导体基底进行退火处理； 其中，所述退火处理包括加入水汽。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||