发明名称 一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法
摘要 一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法,在转子位置区间[0°,θ<sub>r</sub>/3]设置第一组转矩阈值,在转子位置区间[θ<sub>r</sub>/3,θ<sub>r</sub>/2]设置第二组转矩阈值,对相邻的A相和B相供电励磁,A相供电励磁比B相供电励磁超前θ<sub>r</sub>/3,A相到B相的整个换相过程分为两个区间,在转子位置区间[0°,θ<sub>1</sub>]区间A相使用第二组转矩阈值,B相使用第一组转矩阈值,临界位置θ<sub>1</sub>是在换相过程中自动出现的,无需额外进行计算,总转矩控制在[T<sub>e</sub>+th2<sub>low</sub>,T<sub>e</sub>+th2<sub>up</sub>]之间;在转子位置区间[θ<sub>1</sub>,θ<sub>r</sub>/3]区间A相继续使用第二组转矩阈值,B相继续使用第一组转矩阈值,总转矩被控制在[T<sub>e</sub>+th1<sub>low</sub>,T<sub>e</sub>+th1<sub>up</sub>]之间,抑制了三相开关磁阻电机转矩脉动。
申请公布号 CN104300846A 申请公布日期 2015.01.21
申请号 CN201410431988.7 申请日期 2014.08.27
申请人 中国矿业大学 发明人 陈昊;石交通
分类号 H02P6/10(2006.01)I 主分类号 H02P6/10(2006.01)I
代理机构 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人 杨晓玲
主权项 一种三相开关磁阻电机转矩脉动三电平抑制方法,其特征在于:a.在转子位置区间[0°,θ<sub>r</sub>/3]设置第一组转矩阈值(th1<sub>low</sub>,th1<sub>zero</sub>,th1<sub>up</sub>),在转子位置区间[θ<sub>r</sub>/3,θ<sub>r</sub>/2]设置第二组转矩阈值(th2<sub>low</sub>,th2<sub>zero</sub>,th2<sub>up</sub>),这6个转矩阈值满足条件:<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><msub><mrow><mi>th</mi><mn>1</mn></mrow><mi>up</mi></msub><mo>></mo><msub><mrow><mi>th</mi><mn>1</mn></mrow><mi>zero</mi></msub><mo>></mo><msub><mrow><mi>th</mi><mn>2</mn></mrow><mi>up</mi></msub><mo>></mo><mn>0</mn><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000560541840000011.GIF" wi="1340" he="110" /></maths><maths num="0002" id="cmaths0002"><math><![CDATA[<mrow><msub><mrow><mn>0</mn><mo>></mo><mi>th</mi><mn>1</mn></mrow><mi>low</mi></msub><mo>></mo><msub><mrow><mi>th</mi><mn>2</mn></mrow><mi>zero</mi></msub><mo>></mo><msub><mrow><mi>th</mi><mn>2</mn></mrow><mi>low</mi></msub><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>2</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000560541840000012.GIF" wi="1359" he="116" /></maths><maths num="0003" id="cmaths0003"><math><![CDATA[<mrow><mo>|</mo><msub><mrow><mi>th</mi><mn>1</mn></mrow><mi>zero</mi></msub><mo>|</mo><mo>=</mo><mo>|</mo><msub><mrow><mi>th</mi><mn>2</mn></mrow><mi>zero</mi></msub><mo>|</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>3</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000560541840000013.GIF" wi="1336" he="129" /></maths><maths num="0004" id="cmaths0004"><math><![CDATA[<mrow><mo>|</mo><msub><mrow><mi>th</mi><mn>1</mn></mrow><mi>up</mi></msub><mo>|</mo><mo>=</mo><mo>|</mo><msub><mrow><mi>th</mi><mn>2</mn></mrow><mi>low</mi></msub><mo>|</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>4</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000560541840000014.GIF" wi="1332" he="122" /></maths><maths num="0005" id="cmaths0005"><math><![CDATA[<mrow><mo>|</mo><msub><mrow><mi>th</mi><mn>2</mn></mrow><mi>up</mi></msub><mo>|</mo><mo>=</mo><mo>|</mo><msub><mrow><mi>th</mi><mn>1</mn></mrow><mi>low</mi></msub><mo>|</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>5</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000560541840000015.GIF" wi="1338" he="114" /></maths>其中,转子位置0°为最小相电感位置,转子位置θ<sub>r</sub>为齿距角即一个转子周期,半个转子周期是θ<sub>r</sub>/2;b.设置励磁状态S<sub>A</sub>为A相供电励磁状态,励磁状态S<sub>A</sub>=1表示A相励磁电压为正,励磁状态S<sub>A</sub>=0表示A相励磁电压为零,励磁状态S<sub>A</sub>=‑1表示A相励磁电压为负;设置励磁状态S<sub>B</sub>为B相供电励磁状态,励磁状态S<sub>B</sub>=1表示B相励磁电压为正,励磁状态S<sub>B</sub>=0表示B相励磁电压为零,励磁状态S<sub>B</sub>=‑1表示B相励磁电压为负,期望的总平滑转矩为T<sub>e</sub>;c.对相邻的A相和B相供电励磁,A相供电励磁比B相供电励磁超前θ<sub>r</sub>/3,此时,A相关断,B相开通,通过将A相到B相分为两个区间的换相过程,实现三相开关磁阻电机转矩脉动的三电平抑制。
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